De synthesemethode maakt voornamelijk gebruik van elementair silicium en stikstof voor een chemische reactie onder omstandigheden van 1.300 graden Celsius tot 1.400 graden Celsius, en verkrijgt vervolgens siliciumnitride. Het kan ook worden gesynthetiseerd via diimine, of er kan koolstof worden gebruikt. Thermische reductiereactie wordt gesynthetiseerd onder stikstof tussen 1.400 graden Celsius en 1.450 graden Celsius. Carbothermische reductiereactie is een eenvoudige en kosteneffectieve manier om siliciumnitridepoeder in de industrie te vervaardigen.
Als u siliciumnitride op een halfgeleider wilt afzetten, kunt u gebruik maken van lagedruk-chemische dampdepositietechnologie bij relatief hoge temperatuur met behulp van een verticale of horizontale buisoven, of u kunt plasma-versterkte chemische dampdepositietechnologie gebruiken bij relatief hoge temperatuur. . Voer uit onder laag vacuüm. Omdat de eenheidscelparameters van siliciumnitride verschillen van die van elementair silicium, zal de gegenereerde siliciumnitridefilm spanning of spanning genereren, afhankelijk van de depositiemethode. Vooral wanneer plasma-versterkte chemische dampdepositietechnologie wordt gebruikt, kan deze worden aangepast. De depositieparameters werken dus om de spanning te verminderen.
Granulair siliciumnitride is moeilijk te verwerken en kan niet boven het smeltpunt worden verwarmd, omdat bij overschrijding van het smeltpunt het siliciumnitride zal ontleden in silicium en stikstof, hier moet je dus tijdens de verwerking op letten.
