Metalen siliciumcarbide op hoog niveau
Productenbeschrijving
Een procesmethode voor het extraheren van siliciumpoeder met veel zuiverheid ensiliciumcarbidepowder from waste slurry generated by cutting or grinding silicon wafers made of single-crystal silicon, which includes solid-liquid separation of the waste slurry, removal of suspended agents and binding agents from the waste material using organic solvents, gas flotation of the solid sand material to obtain silicon powder of certain purity, further liquid flotation and gravity separation of the silicon powder, and then acid washing of the separated silicon Poeder om siliciumpoeder met een hoog zuiver te verkrijgen. Tegelijkertijd wordt magnetische scheiding van het gemengde poeder van siliciumcarbide en metaal verkregen uit zwaartekrachtscheiding uitgevoerd om zuiver siliciumcarbidepoeder te verkrijgen. Deze methode kan effectief silicium met veel zuiverheid herstellen van de afvalslurry die wordt geproduceerd tijdens het snijden en de verwerking van siliciumstaaf, evenals siliciumcarbide microloeder die wordt gebruikt als het snijden van schuurmiddelen, met een hoge herstelefficiëntie, waardoor het een praktische technologie is die afval transformeert in waardevolle hulpbronnen en het tekort aan silicine-rauw materialen met een hoog worden behandeld.
Productenparameters
| Kleur | Zwart |
| Hardheid | 9,2 mohs |
| Korrelvorm | Hoekig |
| Smeltpunt | 2100 C min |
| Echte dichtheid | 3. 20-3. 25G\/cm3 |
| Bulkdichtheid | 1. 2-1. 6g\/cm3 (hangt af van de grootte) |
Producten Samenwerking Afbeelding

1.Siliciumcarbide, als een brede bandgap-materiaal, heeft voordelen zoals hoge afbraakveldsterkte, hoge verzadigde elektronenafwijkingssnelheid en hoge thermische geleidbaarheid, waardoor de nieuwe kracht van het nieuwe vermogen mogelijk is voor hoogspanningsapparatuur, hoog-vermogen, hoog-frequentie en hoge temperatuurtoepassingen. De ontwikkeling van siliciumcarbidevermogen halfgeleiderapparaten, waaronder siliciumcarbidedodes, MOSFET's, IGBT's en thyristors, schetst de huidige status en vooruitzichten van hun toepassing in energiesystemen. De snelle ontwikkeling van hoogspanning, siliciumcapaciteit siliciumcarbide Power halfgeleiderapparaten zal een diepgaande impact hebben op de vooruitgang van energiesystemen.
Populaire tags: Metalen siliciumcarbide op hoog niveau, China hoog niveau metalen siliciumcarbide fabrikanten, leveranciers, fabriek
Misschien vind je dit ook leuk
Aanvraag sturen





