Een van materialen op hoog niveau siliciumcarbide
Productenbeschrijving
Het productieproces van lichtgewichtsiliciumcarbideMirrors: Reaction Sintering is het meest effectieve proces om het grote potentieel van dit materiaal als spiegelmateriaal te realiseren, waardoor de vorm van complexvormige producten zonder krimp tijdens het sinterproces kan worden gevormd van complexvormige producten; De monsterverwerkingstijd is kort; Er is geen speciale apparatuur vereist en er is geen druk nodig tijdens het sinteren; De steekproefgrootte wordt in wezen alleen beperkt door de grootte van de sinters en het product is bijna volledig dicht. De doorbraken in dit onderzoek zijn voornamelijk gebaseerd op vooruitgang in de spiegelvormingsmethoden en optische verwerking van het spiegeloppervlak.
Productenparameters
| Kleur | Zwart |
| Hardheid | 9,2 mohs |
| Korrelvorm | Hoekig |
| Smeltpunt | 2100 C min |
| Echte dichtheid | 3. 20-3. 25G\/cm3 |
| Bulkdichtheid | 1. 2-1. 6g\/cm3 (hangt af van de grootte) |
Producten Samenwerking Afbeelding

1.TMAH kan het zetapotentieel aanzienlijk verbeterensiliciumcarbidePoeder, verminder de viscositeit van de slurry en optimaliseer daarmee de reologische eigenschappen van de slurry aanzienlijk. Bij een pH van ongeveer 1 0 verhoogde de toevoeging van TMAH in massafracties van 0. 3% en {0. 6% verhoogde het zetapotentiaal met respectievelijk 11,7 mV en 21 mV. In de experimenten, toen 0,6% TMAH werd toegevoegd aan slurries met verschillende volumefracties van SiC, werd de optimale prestaties bereikt, waarbij de viscositeit van het slurry het minimum bereikte. Een teveel aan dispergeermiddel kan de ionenconcentratie in de slurry verhogen, wat leidt tot een afname van de dikte van de dubbele elektrische laag, waardoor de reologie van de slurry verslechtert.
Populaire tags: Een van materialen op hoog niveau siliciumcarbide, China Een van de fabrikanten van siliciumcarbide op hoog niveau materialen, leveranciers, fabriek
Een paar
Schuurblauwe siliciumcarbideMisschien vind je dit ook leuk
Aanvraag sturen








