Siliciumcarbidemedia
video

Siliciumcarbidemedia

Siliciumcarbidemedia in de halfgeleider in de belangrijkste vorm van bestaan ​​zijn als substraatmateriaal, op basis van zijn uitstekende eigenschappen, de gebruikslimietprestaties van siliciumcarbidesubstraten zijn beter dan die van siliciumsubstraten.
Aanvraag sturen
product Introductie

Siliciumcarbide korrel 100 Beschrijving

Siliciumcarbide in de halfgeleider in het bestaan ​​van de hoofdvorm is als substraatmateriaal, gebaseerd op zijn uitstekende eigenschappen, het gebruik van siliciumcarbidesubstraatlimietprestaties is beter dan het siliciumsubstraat, siliciumcarbidesubstraat kan voldoen aan de hoge temperatuur, hoge druk, hoge frequentie, hoog vermogen en andere omstandigheden van de toepassingsbehoeften, het huidige siliciumcarbidesubstraat is toegepast op radiofrequentieapparaten en vermogensapparaten.

 

Als u geïnteresseerd bent in onze producten, neem dan nu contact met ons op! Wij kunnen onze producten aanpassen aan de wensen van de klant!

 

 

 

Specificatie korrel 120 siliciumcarbide

120 leveranciers van korrel-siliciumcarbide-ZhenAn International

 

Item SiC F.C Fe2O3 Vocht
SiC 86 86%min Maximaal 2,4% Maximaal 2,0% Maximaal 0,2%
SiC 88 88% min Maximaal 2,3% Maximaal 2,0% Maximaal 0,2%
SiC90 90% min Maximaal 2,0% Maximaal 1,8% Maximaal 0,2%
SiC92 92% min Maximaal 1,8% Maximaal 1,7% Maximaal 0,2%
SiC93 93% min Maximaal 1,8% Maximaal 1,6% Maximaal 0,2%
SiC 95 95% min Maximaal 1,0% Maximaal 1,3% Maximaal 0,2%
SiC97 97% min Maximaal 0,8% Maximaal 1,2% Maximaal 0,2%
SiC97.5 97,5% min Maximaal 0,8% Maximaal 0,9% Maximaal 0,2%
SiC98 98% min Maximaal 0,5% Maximaal 0,5% Maximaal 0,2%

 

Siliciumcarbide met korrel 1200 Professionele leverancier-ZhenAn

1200 Grit Silicon Carbide Professional supplier-ZhenAn

 

Fabrikant van siliciumcarbide met korrel 180-ZhenAn International

180 Grit Silicon Carbide manufacturer-ZhenAn International

De voordelen van siliciumcarbide-apparaten zijn als volgt:

(1)hoge-spanningsweerstand.De doorslag elektrische veldsterkte is groot, 10 keer die van silicium, met siliciumcarbide-apparaten kunnen worden voorbereid om de spanning, de weerstandscapaciteit, de werkfrequentie en de stroomdichtheid aanzienlijk te verbeteren en het geleidingsverlies van het apparaat aanzienlijk te verminderen. Dus in het daadwerkelijke toepassingsproces kan, vergeleken met de siliciumbasis, worden ontworpen in een kleiner volume, ongeveer 1/10 van de op silicium-gebaseerde apparaten.


(2)Bestand tegen hoge temperaturen.Halfgeleiderapparaten bij hogere temperaturen zullen intrinsieke excitatie van dragers veroorzaken, wat resulteert in apparaatstoringen. Hoe groter de verboden bandbreedte, hoe hoger de beperkende bedrijfstemperatuur van het apparaat. De verboden band van siliciumcarbide is bijna drie keer zo groot als die van silicium, wat de betrouwbaarheid garandeert van apparaten van siliciumcarbide die bij hoge temperaturen werken. De beperkende bedrijfstemperatuur van siliciumapparaten kan over het algemeen niet hoger zijn dan 300 graden, terwijl de beperkende bedrijfstemperatuur van siliciumcarbideapparaten meer dan 600 graden kan bereiken. Tegelijkertijd is de thermische geleidbaarheid van siliciumcarbide hoger dan die van silicium, een hoge thermische geleidbaarheid helpt de warmteafvoer van het siliciumcarbide-apparaat, bij hetzelfde uitgangsvermogen om een ​​lagere temperatuur te handhaven, is het siliciumcarbide-apparaat daarom ook minder veeleisend voor het ontwerp van warmtedissipatie, wat helpt om de miniaturisatie van het apparaat te bereiken.


(3) Het bereiken van hoge- frequentieprestaties De elektronendriftsnelheid van siliciumcarbide is groot, twee keer zo hoog als die van silicium, wat bepaalt dat het siliciumcarbideapparaat een hogere bedrijfsfrequentie en een hogere vermogensdichtheid kan bereiken. Tegelijkertijd is het energieverlies van het substraatmateriaal van siliciumcarbide kleiner. Bij dezelfde spanning en conversiefrequentie, bij 400 V, bedraagt ​​het energieverlies van een siliciumcarbide MOSFET-omvormer ongeveer 29%-60% van het energieverlies van een op silicium-gebaseerde IGBT; bij 800 V is het energieverlies van de siliciumcarbide MOSFET-omvormer ongeveer 30% -50% van het energieverlies van op silicium gebaseerde IGBT. Het energieverlies van siliciumcarbide-apparaten is dus veel minder.

 

Siliciumcarbidepoeder met korrel 180. Foto's van klantbezoeken

180 Grit Silicon Carbide Powder Customer visit photos

 

 

 

 

Veelgestelde vragen

 

 

Vraag: Bent u een fabrikant?

A: Ja, wij zijn een fabrikant gevestigd in Anyang City, provincie Henan. Als professionele leverancier van metallurgische grondstoffen stellen we altijd de productkwaliteit voorop. We gebruiken de meest geavanceerde apparatuur en technologie op het gebied van grondstoffencontrole, productieproces en kwaliteitscontrolesysteem om ervoor te zorgen dat onze producten voldoen aan de industrienormen en aan de behoeften van de klant.

 

Vraag: Welk soort betalingsvoorwaarden accepteert u?

A: Voor een kleine bestelling kunt u betalen via T/T, Western Union of Paypal, nomal bestelling via T/T of LC naar onze bedrijfsaccount

 

Vraag: Hoe kan ik een monster van Silicon Carbide Media krijgen?

A: Er zijn gratis monsters beschikbaar, maar de vrachtkosten zijn voor uw rekening en de kosten worden aan u geretourneerd of in de toekomst van uw bestelling afgetrokken.

 

Vraag: Hoe kan ik de productkwaliteit bevestigen voordat ik bestellingen plaats?

A: U kunt voor sommige producten gratis monsters krijgen, u hoeft alleen de verzendkosten te betalen of een koerier naar ons te regelen en de monsters te nemen. U kunt ons uw productspecificaties en verzoeken sturen, wij zullen de producten volgens uw verzoeken vervaardigen.

Populaire tags: siliciumcarbide media, China siliciumcarbide media fabrikanten, leveranciers, fabriek

Misschien vind je dit ook leuk

Aanvraag sturen

Huis

Telefoon

E-mail

Onderzoek