Grof siliciumcarbide
video

Grof siliciumcarbide

Grof Siliciumcarbide is een samengesteld halfgeleidermateriaal bestaande uit silicium (Si) en koolstof (C). Het heeft een zeer sterke hechting en is thermisch, chemisch en mechanisch stabiel.
Aanvraag sturen
product Introductie

Siliciumcarbide korrel 100 Beschrijving

De derde-generatie halfgeleider-elektronische apparaten met hoog-vermogen, vertegenwoordigd door SiC, is een van de snelst groeiende vermogenshalfgeleiderapparaten op het gebied van vermogenselektronica.

 

Siliciumcarbide is een typische vertegenwoordiger van de derde generatie halfgeleidermaterialen, maar ook de meest volwassen kristalproductietechnologie en het productieniveau van apparaten, een van de meest gebruikte halfgeleidermaterialen met grote bandbreedte, en heeft een mondiale keten van materialen, apparaten en toepassingen gevormd. Het is een ideaal halfgeleidermateriaal voor toepassingen met hoge- temperaturen, hoge- frequenties, stralings- en hoge- vermogens.

 

 

 

 

Specificatie van siliciumcarbideproducten

Leveranciers van siliciumcarbideproducten-ZhenAn International

 

 

TYPISCHE CHEMISCHE ANALYSE
SiC 99.05%
SiO2 0.20%
F, Si 0.03%
Fe2O3 0.10%
F.C 0.04%
TYPISCHE FISISCHE EIGENSCHAPPEN
Hardheid: Moh's: 9.5
Smeltpunt: Sublimeert op 2600 graden
Maximale bedrijfstemperatuur: 1900 graden
Soortelijk gewicht: 3,2 g/cm³
Bulkdichtheid (LPD): 1,2-1,6 g/cm3
Kleur: Groente
Deeltjesvorm: Zeshoekig

 

Fabrikant van siliciumcarbide met korrel 100-ZhenAn International

Silicon Carbide 100 Grit manufacturer-ZhenAn International

 

Leverancier van SiC-poeder-ZhenAn

 SiC Powder supplier-ZhenAn

 

Mechanische eigenschappen:hoge hardheid (Kjeldahl-hardheid van 3000 kg/mm²), kan robijn snijden; hoge slijtvastheid, tweede alleen voor diamant.

 

Thermische eigenschappen:thermische geleidbaarheid overtreft die van metallisch koper, 3 keer die van Si en 8 tot 10 keer die van GaAs, goede warmteafvoer, erg belangrijk voor apparaten met hoog vermogen.

 

Chemische eigenschappen:De corrosieweerstand is zeer sterk en kan bij kamertemperatuur vrijwel alle bekende corrosieve middelen weerstaan. SiC-oppervlakte gemakkelijke oxidatie om een ​​dunne laag SiO2 te genereren, kan verdere oxidatie ervan voorkomen, bij een temperatuur hoger dan 1700 graden smelt deze laag oxidefilm en snelle oxidatiereactie. SiC kan worden opgelost in gesmolten oxidatiemiddelmateriaal.

 

Elektrische eigenschappen:De bandafstand van 4H-SiC en 6H-SiC is ongeveer drie keer zo groot als die van Si en twee keer zo groot als GaAs; de elektrische doorslagsterkte is één orde van grootte hoger dan die van Si, en de driftsnelheid van het verzadigingselektron is 2,5 maal die van Si. 4H-SiC heeft een grotere bandafstand dan 6H-SiC.

 

36 Korrel Siliciumcarbide Foto's van klantbezoek

36 Grit Silicon Carbide Customer visit photos

 

Veelgestelde vragen

 

 

Vraag: Is de prijs bespreekbaar?

A: Ja, als u vragen heeft, kunt u altijd contact met ons opnemen. En voor klanten die de markt willen vergroten, zullen wij ons best doen om hen te ondersteunen.

Vraag: Kunt u gratis monsters leveren?

A: Ja, we kunnen klanten gratis monsters verstrekken zodat ze de kwaliteit kunnen controleren of chemische analyses kunnen uitvoeren, maar vertel ons alstublieft de gedetailleerde vereisten waaraan we moeten voldoen om de juiste monsters te bereiden.

Vraag: Wanneer kunt u de goederen leveren?

A: Normaal gesproken kunnen we de goederen binnen 15-20 dagen leveren nadat we de vooruitbetaling of originele L/C hebben ontvangen.

Vraag: Kunt u een testrapport overleggen dat is uitgegeven door SGS of een inspectie van een andere derde- partij?

A: Ja, dat kan als klanten testrapporten van derden- opvragen.

Wij hopen oprecht uw partner te zijn, wij heten nieuwe en oude klanten welkom voor een bezoek aan de gids, evenals verschillende vormen van handelssamenwerking!

Populaire tags: grof siliciumcarbide, China grof siliciumcarbide fabrikanten, leveranciers, fabriek

Aanvraag sturen

Huis

Telefoon

E-mail

Onderzoek