Siliciumcarbidepoeder

SiC-poeder Beschrijving

Siliciumcarbidepoeder is een voedingsbron van siliciumcarbide met een laag gehalte aan onzuiverheden en een uniforme deeltjesgrootte die nodig is voor de bereiding van eenkristallen van siliciumcarbide van hoge kwaliteit, vooral bij de bereiding van hoog-zuiver semi-isolerend siliciumcarbide of gedoteerd semi-isolerend siliciumcarbide, waarvoor een zeer hoog niveau van laag onzuiverheidsgehalte vereist is.

Wanneer de materiaalbron van siliciumcarbide onzuiverheden bevat, met name onzuiverheden op een ondiep energieniveau (zoals elementaire stikstof), is deze zeer moeilijk te verwijderen tijdens het productieproces. Als de materiaalbron eenmaal een groot aantal onzuiverheden bevat, is het dus niet mogelijk om de productie van een hoog-zuivere, semi-isolerende bron van siliciumcarbidemateriaal te realiseren. Bovendien is de uniformiteit van de deeltjesgrootte van het gesynthetiseerde poeder laag en is de beoogde deeltjesgrootteverhouding van het siliciumcarbidepoeder klein.

Als u geïnteresseerd bent in onze producten, neem dan nu contact met ons op! Wij kunnen onze producten aanpassen aan de wensen van de klant!

Specificatie van siliciumcarbidepoeder met korrel 220

220 leveranciers van siliciumcarbidepoeder met korrelgrootte-ZhenAn International

Leverancier van siliciumcarbidepoeder met korrel 180-ZhenAn

Leverancier van siliciumcarbidepoeder met korrel 1200-ZhenAn International

Een methode voor het bereiden van een laag-massa-produceerbaar hoog-zuiver siliciumcarbidepoeder, bestaande uit de volgende stappen:

Het zuiveren van het voorbereidingsapparaat voor het bereiden van siliciumnitridepoeder, de voorbereidingsgrondstof, en vervolgens het mengen van het koolstofpoeder en het siliciumpoeder om het gemengde poeder te verkrijgen; door het gemengde poeder in een smeltkroes te plaatsen, en na het wassen van de oven met een mengsel van argon en waterstof, wordt het sinteren uitgevoerd onder de omstandigheden van een mengsel van argon en waterstof om het zeer-zuivere siliciumcarbidepoeder te verkrijgen.

Het siliciumpoeder wordt gezuiverd door middel van warmtebehandeling, welke warmtebehandeling als volgt verloopt: de ovendruk wordt geregeld op 10 kpa tot 80 kpa; waarbij de stroomsnelheid van argongas 50 tot 500 sccm bedraagt ​​en waterstofgas 50 tot 500 sccm; en de temperatuur wordt verhoogd van kamertemperatuur naar 900 graden met een snelheid van 2 tot 10 graden/min. Houden op 900 graden, ovendruk van 10 kpa tot 80 kpa, argongas van 50 tot 500 sccm, waterstofgas van 0 tot 500 sccm gedurende 10 tot 80 uur; het koolstofpoeder wordt gezuiverd door warmtebehandeling, de warmtebehandeling is als volgt: het handhaven van de ovendruk van 10 kpa tot 80 kpa, het toelaten van argongas van 100 tot 600 sccm en waterstofgas van 10 tot 300 sccm, en het verhogen van de temperatuursnelheid van 3 tot 10 graden / min verwarmingssnelheid van de oventemperatuur tot 1200 ~ 1700 graden, bij deze temperatuur om 5 ~ 30 uur te handhaven; ga dan verder met het verhogen van de temperatuur, in omstandigheden van 1900 ~ 2200 graden, druk 1 ~ 50 kpa, argon 100 ~ 600 sccm, waterstof 10 ~ 300 sccm omstandigheden om 10 ~ 60 uur te behouden; het afkoelen van de temperatuur voordat de druk wordt verhoogd tot 80 ~ 95 kpa, via argon 100 ~ 600 sccm, waterstof 100 ~ 500 sccm, en dan zal het 40 ~ 80 graden zijn; om te worden teruggebracht tot 40 ~ 80 graden, open de ovenholte van de gereserveerde gaten, voeg een viscositeit van 1 ~ 5cps siliconenolie toe aan het oppervlak van de koolstofpoederdeeltjes om een ​​beschermende film te vormen. De molaire verhouding van koolstofpoeder en siliciumpoeder is (0,9 tot 1,1):1; in het gasmengsel van argon en waterstof bedraagt ​​de volumeverhouding van argon tot waterstof 10:1 tot 1:10.

Siliciumcarbide poeder sintermethode is:in drukomstandigheden van 20 kpa ~ 80 kpa, ga over in de waterstof 50 ~ 300 sccm, argon 400 ~ 1000 sccm, de temperatuur zal worden verhoogd tot 1600 ~ 1800 graden, gedurende 4 ~ 20 uur; zal de druk verlagen tot 1 kpa ~ 50 kpa, overgaan in de waterstof 20 ~ 200 sccm, argon 200 ~ 600 sccm. De temperatuur wordt gedurende 10-50 uur verhoogd tot 1900-2300 graden. Het gesinterde materiaal dat na het sinteren werd verkregen, werd vermalen en gesorteerd om siliciumcarbidepoeder met hoge zuiverheid te verkrijgen.

Siliciumcarbidepoeder met korrel 1500 Foto's van klantbezoeken

Veelgestelde vragen

Vraag: Hoe behandel je kwaliteitsklachten?

A: Allereerst zal onze kwaliteitscontrole het kwaliteitsprobleem tot bijna nul terugbrengen. Als er sprake is van een echt kwaliteitsprobleem dat door ons is veroorzaakt, sturen wij u gratis goederen ter vervanging of vergoeden wij uw verlies.

Vraag: Heeft u kwaliteitscontrole?

A: Ja, we hebben BV- en SGS-authenticatie verkregen.

Vraag: Hoe lang is uw levertijd?

A: Over het algemeen is het 7-14 dagen als de goederen op voorraad zijn. of het is 25-45 dagen als de goederen niet op voorraad zijn, dit is afhankelijk van de hoeveelheid.

Vraag: Kunnen we enkele monsters van siliciumcarbidepoeder krijgen? Zijn er kosten aan verbonden?

A: Ja, we kunnen het monster gratis aanbieden, maar betalen niet de vrachtkosten. Als u de bestelling plaatst nadat u het monster heeft bevestigd, betalen wij uw expresvracht terug of trekken deze af van het orderbedrag.

Populaire tags: siliciumcarbidepoeder, China siliciumcarbidepoederfabrikanten, leveranciers, fabriek